| 主权项 |
1.一种制作深沟渠的方法,该方法包含有下列步骤:提供一半导体基底;于该半导体基底表面形成一图案层;进行一乾蚀刻制程,利用该图案层作为硬遮罩(hardmask)蚀刻该半导体基底,以形成至少一深沟渠;以及进行一湿蚀刻制程,利用一氨水-过氧化氢混合溶液(ammonium hydrogen peroxide mixture, APM)并结合超音波蚀刻该深沟渠。2.如申请范围第1项所述之方法,其中该图案层另包含有一衬氧化层,以及一氮矽化合物层堆叠于该衬氧化层之上。3.如申请范围第2项所述之方法,其中该图案层另包含有一硼矽玻璃(BSG)层,堆叠于该氮矽化合物层之上。4.如申请范围第1项所述之方法,其中该深沟渠系为一瓶状深沟渠。5.如申请范围第4项所述之方法,其中该方法另包含有下列步骤:于该深沟渠之顶部侧壁表面形成一遮罩层;以及蚀刻对未覆盖有该遮罩层之该深沟渠侧壁,形成该瓶状深沟渠。6.如申请范围第5项所述之方法,其中该遮罩层系移除于该湿蚀刻制程之前。7.如申请范围第5项所述之方法,其中该遮罩层系移除于该湿蚀刻制程之后。8.如申请范围第1项所述之方法,其中该湿蚀刻制程系沿着该深沟渠内之该半导体基底的结晶平面进行蚀刻。9.如申请范围第1项所述之方法,其中于该湿蚀刻制程中,该APM溶液之温度系介于45℃至68℃之间。10.如申请范围第1项所述之方法,其中该超音波功率介于600至800瓦之间。11.如申请范围第1项所述之方法,其中该APM溶液之蚀刻速度大于10埃/10分钟(10/10min)。12.如申请范围第11项所述之方法,其中该APM溶液之氨水-过氧化氢的体积比NH4OH:H2O2:H2O系介于1:1:5~1:5:50。图式简单说明:第1图至第5图为习知制作一瓶状深沟渠方法的制程示意图。第6图至第10图为本发明第一实施例制作一深沟渠之示意图。第11图为本发明第二实施例制作一瓶状深沟渠之示意图。 |
