| 主权项 |
1.一种制造用于微电子装置之贯通基板互接物(42)的方法(10),该装置包含一基板(30)具有一正面及一背面,而该方法包含:在该基板(30)的正面上制成一电路元件(34);在该基板的背面制成一凹槽(38)延伸至该电路元件(34);在该凹槽(38)中制成一绝缘聚合材料层(40);由该聚合材料层(40)除去足够的聚合材料来至少部份地曝露该电路元件(34);及在该凹槽(38)内制成一导电互接层(42),其中该互接层(42)会与该电路元件(34)电导接。2.如申请专利范围第1项之方法(10),其中在该基板(30)背面制成该凹槽(38)乃包括经由一选自包含雷射磨削及深反应离子蚀刻的组群中之技术来制成该凹槽(38)。3.如申请专利范围第1项之方法(10),其中在该凹槽(38)内制成该绝缘聚合材料层(40)乃包括在该凹槽(38)内制成一聚对二甲苯基(parylene)层。4.如申请专利范围第3项之方法(10),更包含在该凹槽(38)内制成该聚对二甲苯基层(40)之后,加热该基板(30)至大约300℃,来在该聚对二甲苯基层(40)的外表区域中形成一扩散阻挡层。5.如申请专利范围第1项之方法(10),更包含在该凹槽(38)内制成一填料层(44)来覆盖该导电互接层(42)。6.如申请专利范围第5项之方法(10),其中该填料层(44)系由聚对二甲苯基物所制成。7.如申请专利范围第5项之方法(10),其中该填料层(44)系由一导电材料所制成。8.一种制造用于微电子装置之贯通基板互接物(42)的方法(10),该装置包含一基板(30)具有一正面及一背面,而该方法包含:在该基板(30)的正面上制成一导电的电路元件(34);在该基板背面制成一凹槽(38),该凹槽包含一内表面,并延伸至该电路元件(34);在该凹槽(38)的内表面上制成一聚对二甲苯基层(40),而使至少有部份的电路元件(34)会由该凹槽(38)来曝露;及在该聚对二甲苯基层(40)内制成一导电的互接层(42),且该互接层(42)会与该电路元件(34)电导接。9.一种微电子装置,包含:一基板(30)具有一正面;一背面及一块体区(36);一电路元件(34)设在该基板(30)的正面上;及一贯通基板互接物(42)会由该基板(30)的背面贯穿该基板(30)的块体区(36)而延伸至基板的正面,其中该互接物(42)包含一导电的互接层(42)以一聚合物介电层(40)来与该基板(30)的块体区(36)分开。10.一种流体喷射装置(210),包含一流体喷头(214)可将一流体喷印在一流体接收媒体上,该流体喷头(214)包含一基板(30)具有一正面、一背面、及一贯通基板互接物(42)设在该基板(30)的正面上,而可由该基板(30)的背面导引电流穿过该基板(30)流至一电路元件(34);其中该互接物(42)包含一凹槽(38)延伸贯穿该基板(30),一聚合物介电材料层(40)设在该凹槽(38)内,及一导电层(42)设在该凹槽(38)内而覆盖该介电材料层(40),且该导电层(42)会与该电路元件(34)电导接。图式简单说明:第1图示出本发明用来制成一贯通基板互接物的第一种方法之流程图。第2图示出依第1图之第一种方法实施例在该基板正面上制成一绝缘层与一电路元件之后该基板的截面图。第3图示出第2图的基板在其背面制成一凹槽之后的截面图。第4图示出第3图的基板在该凹槽内制成一绝缘聚合物层之后的截面图。第5图示出第4图的基板在由凹槽中除去一部份的绝缘聚合物层之后的截面图。第5A图示出第5图的基板在依第1图的实施例之一变化例来在该绝缘聚合物层上形成一扩散阻挡层之后的截面图。第6图示出第5图的基板在该绝缘聚合物层上形成一导电互接层之后的截面图。第7图示出第6图的基板在该导电层上部份地制成一填料层之后的截面图。第8图示出第7图的基板在该导电层上几乎完全地制成该填料层之后的截面图。第9图示出第4图的基板在依第1图的实施例之另一变化例中,于该电路元件和绝缘层中制成一开孔来曝露该绝缘聚合物层之后的截面图。第10图示出第9图的基板在除掉一部份的绝缘聚合物层之后的截面图。第11图示出第10图的基板在该绝缘聚合物层上制成一导电互接层之后的截面图。第12图示出第11图的基板在该导电互接层上形成一填料层之后的截面图。第13图示出一配设有依本发明所制成之结构物的列印装置。 |
