发明名称 液晶显示装置基板之制造方法
摘要 本发明系有关于一种液晶显示装置基板之制造方法,步骤包括:(a)提供一具有透明电极层与金属层之基板;(b)进行一部份显影;(c)蚀刻光阻层及具有透明电极层与金属层之基板,分别定义出讯号扫瞄线与薄膜二极体区域,以及画素区与电极导线,且薄膜二极体区域系具一间隙;以及(d)形成一氧化层于金属层之部分表面,且氧化层系填满薄膜二极体区域之间隙;本发明提供一种液晶显示装置基板之制造方法,利用一道光罩的微影、蚀刻等图案化(Patterning)制程,来完成液晶显示装置基板的制作,可同时达到提升良率、产能的效益。
申请公布号 TWI260774 申请公布日期 2006.08.21
申请号 TW094124299 申请日期 2005.07.19
申请人 广辉电子股份有限公司 发明人 周文彬;杨克勤
分类号 H01L29/00;G02F1/1365 主分类号 H01L29/00
代理机构 代理人 吴冠赐 台北市松山区敦化北路102号9楼;苏建太 台北市松山区敦化北路102号9楼;林志鸿 台北市松山区敦化北路102号9楼
主权项 1.一种液晶显示装置基板之制造方法,步骤包括: (a)提供一具有透明电极层与金属层之基板,且该透 明电极层系位于该金属层与该基板之间; (b)形成具有一图样之一光阻层,且该光阻层系具有 至少一第一厚度与至少一第二厚度; (c)蚀刻该光阻层及具有透明电极层与金属层之该 基板,分别定义出讯号扫瞄线与薄膜二极体区域, 以及画素区与电极导线,其中该薄膜二极体区域系 含该透明电极层以及该金属层,且该薄膜二极体区 域系具一间隙;以及 (d)形成一氧化层于该金属层之部分表面,且该氧化 层系填满该薄膜二极体区域之该间隙。 2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中步骤 (a)中,该透明电极层为铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化 物(IZO)。 3.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中步骤 (a)中,该金属层为钽金属层。 4.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中步骤 (b)系以半色调(half-tone)或绕射方式形成。 5.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中步骤 (b)中该第一厚度系对应形成该讯号扫瞄线与该薄 膜二极体区域。 6.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中步骤 (c)中,该蚀刻步骤系乾蚀刻。 7.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中步骤 (c)中,该蚀刻步骤系湿蚀刻。 8.如申请专利范围第7项所述之制造方法,其中于该 湿蚀刻之后更包括一O2灰化法。 9.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中步骤 (d)中,该氧化层系以阳极氧化法形成。 10.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中步 骤(d)中,该氧化层系氧化钽(Ta2O5)。 图式简单说明: 图1系习知薄膜二极体结构示意图。 图2(a-(f)系本发明较佳实施例之上视图。 图3(a)-(f)系本发明较佳实施例之剖面示意图。
地址 桃园县龟山乡华亚二路189号