半导体装置及其制造方法

摘要

一种半导体装置，包括：闸极电极，其具有藉由闸极绝缘膜而依次形成于半导体基板之元件形成区域上、并含有砷的多晶矽膜或多晶矽锗膜及第1镍矽化物层而形成之积层构造；侧壁绝缘膜，由形成于上述闸极电极侧面之绝缘膜构成；源极以及汲极层，形成于上述闸极电极两侧之上述元件形成区域内并含有砷；以及第2镍矽化物层，形成于上述源极及汲极层上，其中，上述闸极电极内所含之砷之尖峰浓度小于等于上述源极及汲极层所含之砷之尖峰浓度的10分之1。