发明名称 | 多晶矽薄膜电晶体的制作方法 | ||
摘要 | 一种多晶矽薄膜电晶体的制作方法,系为在基板上形成非晶矽层之后,即对非晶矽层进行图案化,以形成矽岛图形,使提前定义出元件主动区域。接着,利用单发长脉冲雷射光束,照射矽岛图形,以诱发矽岛图形内产生超级横向长晶行为,而由非晶矽转变为多晶矽。最后,再依序进行后续薄膜电晶体制作流程,即完成多晶矽薄膜电晶体之制作。 | ||
申请公布号 | TW200629560 | 申请公布日期 | 2006.08.16 |
申请号 | TW094103127 | 申请日期 | 2005.02.01 |
申请人 | 财团法人工业技术研究院 | 发明人 | 林家兴;陈昱丞;陈麒麟 |
分类号 | H01L29/786 | 主分类号 | H01L29/786 |
代理机构 | 代理人 | ||
主权项 | |||
地址 | 新竹县竹东镇中兴路4段195号 |