发明名称 多晶矽薄膜电晶体的制作方法
摘要 一种多晶矽薄膜电晶体的制作方法,系为在基板上形成非晶矽层之后,即对非晶矽层进行图案化,以形成矽岛图形,使提前定义出元件主动区域。接着,利用单发长脉冲雷射光束,照射矽岛图形,以诱发矽岛图形内产生超级横向长晶行为,而由非晶矽转变为多晶矽。最后,再依序进行后续薄膜电晶体制作流程,即完成多晶矽薄膜电晶体之制作。
申请公布号 TW200629560 申请公布日期 2006.08.16
申请号 TW094103127 申请日期 2005.02.01
申请人 财团法人工业技术研究院 发明人 林家兴;陈昱丞;陈麒麟
分类号 H01L29/786 主分类号 H01L29/786
代理机构 代理人
主权项
地址 新竹县竹东镇中兴路4段195号