形成于基材上之金属氧化物层及其制造方法

摘要

本发明系关于包含成长于一基材上的金属氧化物之新颖半导体薄膜及其制造方法。金属氧化物系由氧化钼所构成，该氧化钼非常有用于制造具有高耐受电压的电子装置及光子和电子敌意性环境装置。本发明的一重要方面为在由已用于一般电子或光子装置中的材料所制成的基材上形成该氧化钼薄膜。最普遍的材料为矽。本发明的另一重要方面为一种在基材上形成氧化钼薄膜之新颖方法。