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发明名称
低1c螺旋差排之三寸碳化矽晶圆
摘要
本发明揭示SiC之高品质单晶晶圆,该晶圆具有至少约3寸之直径及低于约2000 cm^–2之1c螺旋差排密度。
申请公布号
TW200629390
申请公布日期
2006.08.16
申请号
TW094134555
申请日期
2005.10.03
申请人
克立公司
发明人
亚德恩 保威;马克 布兰迪;罗伯T 里奥那多;史堤芬G 莫勒;维瑞F 兹维科
分类号
H01L21/302;C30B29/36
主分类号
H01L21/302
代理机构
代理人
陈长文
主权项
地址
美国
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