记忆体装置,电晶体,记忆体单元,以及制造其之方法

摘要

本发明揭示一种记忆体装置，包含一记忆体单元阵列及周边装置。该等个别记忆体单元中至少一部份包含含有SiC的碳酸部份。该等周边装置中至少一部份并不包含任何碳酸部份。一电晶体包含一第一源极／汲极；一第二源极／汲极；一介于该等第一与第二源极／汲极之间的通道，其包含含SiC的一半导体基板的碳酸部份；以及一闸极，其操作与该通道的两侧相关联。