具有阶状闸极之半导体装置及其制造方法

摘要

半导体装置包括一个基板，基板上则包含一第一主动区域与一高度高于第一主动区域的第二主动区域。闸图案具有阶状结构，在第一主动区域和第二主动区域之间的交界区域上被形成。闸图案从第一主动区域的预定部分延伸到第二作区域的预定部分。闸间隙壁的在闸图案的两面侧壁上形成。一个第一晶胞接面在第一主动区域中的一个闸间隙壁形成，且与一储存节点接触窗连结。一第二晶胞接面第二主动区域中的另一个闸间隙壁形成，且与一位元线接触窗连结。