| 发明名称 | 除去了连接孔内的损伤层、自然氧化膜的半导体装置的制造方法 | ||
| 摘要 | 通过对形成于导电层上的绝缘膜进行干蚀刻，在上述绝缘膜上形成使上述导电层露出的连接孔。通过对露出的上述导电层上提供等离子体，对形成于上述连接孔内的损伤层进行干洗涤。通过湿处理除去由于干洗涤而在上述连接孔内生成的生成物。通过使用包含NF<SUB>3</SUB>、HF的任一种气体的干处理，对由于上述湿处理而在上述连接孔内形成的氧化膜进行蚀刻。通过热处理除去由蚀刻而生成的生成物。 | ||
| 申请公布号 | CN1819140A | 申请公布日期 | 2006.08.16 |
| 申请号 | CN200610003051.5 | 申请日期 | 2006.01.26 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 本多亮;艾原香里;村上和博;沼野正训;永松贵人;原川秀明;松山日出人;江泽弘和;金子尚史 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01);H01L21/311(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 段承恩;杨光军 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置的形成方法，其包括：通过对形成于导电层上的绝缘膜进行干蚀刻，在上述绝缘膜上形成使上述导电层露出的连接孔；通过向露出的上述导电层上提供由氧化性气体激发的等离子体，对在上述连接孔内形成的损伤层进行干洗涤；通过湿处理除去因上述干处理而在上述连接孔内形成的生成物；通过使用了包含NF3、HF的任一种的气体的干处理，对因上述湿处理而在上述连接孔内形成的氧化膜进行蚀刻，以及通过热处理除去因上述蚀刻而生成的生成物。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||