发明名称 | 磁头 | ||
摘要 | 本发明提供一种磁头,其具有减少杂散场的影响并且高速产生磁化反转的磁薄膜结构。所述磁头包括第一磁极、与所述第一磁极间隔开的第二磁极以及在第一和第二磁极内感应磁场的感应线圈,其中所述第一和第二磁极包括其中产生用于记录的漏磁通的磁极尖、引导磁通在磁极内流通的头轭、以及用于控制磁畴的至少一植入物,所述植入物形成在所述第一和第二磁极的至少一个中。所述磁薄膜能够有效地减少从外部进入的杂散场的影响,并且能够控制畴壁运动,使得高速磁记录通过对应于感应线圈施加的磁场产生高速磁化反转而成为可能。 | ||
申请公布号 | CN1819025A | 申请公布日期 | 2006.08.16 |
申请号 | CN200510092500.3 | 申请日期 | 2005.08.22 |
申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 林志庆;金庸洙 |
分类号 | G11B5/31(2006.01) | 主分类号 | G11B5/31(2006.01) |
代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李晓舒;魏晓刚 |
主权项 | 1.一种磁头,包括:第一磁极;第二磁极,其与所述第一磁极间隔开;及感应线圈,其在所述第一和第二磁极中感应磁场,其中所述第一和第二磁极包括其中产生用于记录的漏磁通的磁极尖、引导所述磁极内流动的磁通的头轭、以及用于控制磁畴的至少一个植入物,所述植入物形成在所述第一和第二磁极的至少一个内。 | ||
地址 | 韩国京畿道 |