薄膜晶体管及其制造方法

摘要

本发明提供一种具有可减少Vgs-Ids特性的变坏的结构的薄膜晶体管。该薄膜晶体管(16)具有由N型杂质扩散区构成的源区(17)、漏区(18)和栅电极(19)，栅电极(19)的正下方成为沟道区(30)。此外，在源区(17)、漏区(18)中，通过多个接触孔(20)分别与源电极(21)、漏电极(22)连接。而且在沟道区(30)的内部，在多个部位并隔开一定间隔地形成P型杂质扩散区(23)。

主权项

1.一种晶体管，具有一层非单晶硅膜、在所述非单晶硅膜上的一层栅极绝缘膜和在所述栅极绝缘膜上的一个栅极电极，所述非单晶硅膜具有一个沟道区、一个源极区和一个漏极区，所述沟道区被所述栅极电极覆盖，并且所述沟道区形成在所述源极区和所述漏极区之间，所述晶体管包括：具有一个第一导电型掺杂硅区、多个第二导电型掺杂硅区和多个本征硅区的非单晶硅膜，其中所述第一导电型掺杂硅区形成在所述源极区和所述漏极区中，至少一部分所述第二导电型掺杂硅区和本征硅区被所述栅极电极覆盖，所述第二导电型掺杂硅区以宽度方向排列，在所述栅极电极下面，每个所述第二导电型掺杂硅区被所述本征硅区分开。