发明名称 发光二极管与其制造方法
摘要 一种倒装芯片式的发光二极管。此发光二极管包括一发光结构、一第一介电层、一第一金属层、一第二金属层、与一第二介电层。此发光结构包括一第一导电层、一有源层、与一第二导电层。此有源层位于此第一导电层上,而此第二导电层位于此有源层上。此第一介电层位于此发光结构上。此第一金属层亦位于此发光结构上并电连接此第一导电层,且部分的第一金属层位于此第一介电层上。此第二金属层亦位于此发光结构上并电连接此第二导电层,且部分的第二金属层位于此第一介电层上。此第二介电层位于此第一介电层上。
申请公布号 CN1819284A 申请公布日期 2006.08.16
申请号 CN200510051611.X 申请日期 2005.02.08
申请人 晶元光电股份有限公司 发明人 杜全成;吴仁钊;谢育仁
分类号 H01L33/00(2006.01);H01L25/075(2006.01);H01L27/15(2006.01) 主分类号 H01L33/00(2006.01)
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 陶凤波;侯宇
主权项 1.一种发光二极管的制作方法,包括:形成一发光结构,该发光结构包括一第一导电层、一有源层、与一第二导电层,该有源层位于该第一导电层上以做为一发光层,该第二导电层位于该有源层上;形成一第一介电层于该发光结构上;形成一第二介电层于该第一介电层上;形成一第一金属层,该第一金属层位于该发光结构上并电连接该第一导电层,且部分的第一金属层位于该第一介电层上;以及形成一第二金属层,该第二金属层位于该发光结构上并电连接该第二导电层,且部分的第二金属层位于该第一介电层上;其中,该第一介电层与该第二介电层绝缘该第一金属层与该第二金属层;以及其中,部分的该第一介电层为一透明介电层,该第一介电层与该第一金属层及/或该第二金属层的接触面供反射该发光结构发出的光。
地址 台湾省新竹市