| 发明名称 | 包括层叠电容器的半导体器件 | ||
| 摘要 | 一种形成在电容器孔内的层叠电容器包括下电极、电容器绝缘膜和上电极。下电极包括形成在下部绝缘膜上的多个岛、以及覆盖下部绝缘膜上的各岛的金属膜。下电极的较大表面增加了层叠电容器的电容。 | ||
| 申请公布号 | CN1819209A | 申请公布日期 | 2006.08.16 |
| 申请号 | CN200610051393.4 | 申请日期 | 2006.01.04 |
| 申请人 | 尔必达存储器株式会社 | 发明人 | 星野晶 |
| 分类号 | H01L27/108(2006.01);H01L27/102(2006.01);H01L27/10(2006.01);H01L27/00(2006.01);H01L21/8242(2006.01);H01L21/8222(2006.01);H01L21/82(2006.01);H01L21/02(2006.01);H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | H01L27/108(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 孙志湧;钟强 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，其包括衬底、覆盖在所述衬底上的绝缘膜以及层叠电容器，该层叠电容器包括连续淀积的下电极、电容器绝缘膜和上电极，其中所述下电极包括形成在所述绝缘膜上的多个岛以及覆盖所述缘膜上的所述岛的金属或合金膜。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||