| 发明名称 | 低阻抗去耦装置 | ||
| 摘要 | 一种用于在数字电路中去耦高频噪声波的去耦装置，其形成为线装置，包括一部分的半导体衬底，在半导体衬底上形成的作为栅极氧化膜的绝缘膜，以及在绝缘膜上形成的作为门电极的互连线。互连线与半导体衬底之间的线电容为100pF或更大，因此，该去耦装置能够有效地去耦开关器件产生的10到100GHz频率范围内的电磁噪声波。 | ||
| 申请公布号 | CN1270377C | 申请公布日期 | 2006.08.16 |
| 申请号 | CN03110385.5 | 申请日期 | 2003.04.08 |
| 申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 中野隆;远矢弘和 |
| 分类号 | H01L23/552(2006.01);H01L27/04(2006.01);H01L21/822(2006.01) | 主分类号 | H01L23/552(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 穆德骏;袁炳泽 |
| 主权项 | 1.一种在半导体电路中形成的去耦装置，包括：半导体衬底(43)；在所述半导体衬底(43)上形成的绝缘膜(42，47)；以及在所述绝缘膜(42，47)上形成的互连线(41，48)，其特征在于，所述互连线(41，48)与所述半导体衬底(43)之间的线电容被设为100pF或更大，使得所述去耦装置能够有效地去耦所述半导体电路中产生的电磁噪声波，其中所述电磁噪声波的频率介于10GHz到100GHz之间；所述绝缘膜(47)为条状，所述半导体衬底(43)包含从上方看其中夹着所述条状绝缘膜(47)的一对扩散区(45，46)。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||