| 发明名称 | 焊锡箔、半导体器件、电子器件、半导体组件及功率组件 | ||
| 摘要 | 将含有作为金属颗粒的Cu等颗粒和作为焊锡颗粒的Sn颗粒的焊锡材料压延而形成的箔适用于温度分层焊接中的高温侧的锡焊，用这种锡焊方法获得的半导体器件、电子器件在机械特性等方面具有优良的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN1269612C | 申请公布日期 | 2006.08.16 |
| 申请号 | CN01821243.3 | 申请日期 | 2001.12.19 |
| 申请人 | 株式会社日立制作所 | 发明人 | 曾我太佐男;秦英惠;石田寿治;中塚哲也;冈本正英;三浦一真 |
| 分类号 | B23K35/14(2006.01);H01L21/52(2006.01) | 主分类号 | B23K35/14(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 刘宗杰;叶恺东 |
| 主权项 | 1.一种焊锡箔，其特征在于：将含有金属颗粒和焊锡颗粒的材料压延后形成。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||