| 发明名称 | 高k介电膜,及其形成方法和相关的半导体器件 | ||
| 摘要 | 提供了高k介电膜，及其形成方法和相关半导体器件，其中具有第一氮含量(zB)和第一硅含量(xB)的金属硅氮氧化物的底层(B)，和具有第二氮含量(zT)和第二硅含量(xT)的金属硅氮氧化物的顶层(T)以这种方式形成，即第二氮含量(zT)高于第一氮含量(zB)，并且第二硅含量(xT)高于第二硅含量(xB)。由此，具有极好的泄漏特性和很高的介电常数的介电膜(2)形成。 | ||
| 申请公布号 | CN1820355A | 申请公布日期 | 2006.08.16 |
| 申请号 | CN03826872.8 | 申请日期 | 2003.07.30 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术股份公司 | 发明人 | C·林;K·李 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L29/51(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 吴立明;张志醒 |
| 主权项 | 1.用于半导体器件的高k介电膜，形成在衬底(1)上并至少包括：具有第一氮含量(zB)和第一硅含量(xB)的金属硅氮氧化物的底层(B)；以及具有第二氮含量(zT)和第二硅含量(xT)的金属硅氮氧化物的顶层(T)，其中顶层(T)的所述第二氮含量(zT)高于底层(B)的所述第一氮含量(zB)，并且顶层(T)的所述第二硅含量(xT)高于底层(B)的所述第一硅含量(xB)。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||