| 摘要 |
<p>Полезная модель относится к силовой электронике и преобразовательной технике. Технический результат, который может быть получен с помощью предлагаемой полезной модели сводится к созданию полупроводникового прибора. Он достигается тем, что полупроводниковый прибор, содержащий корпус с выводами, основанием, внутри корпуса установлены полупроводниковая структура, вывода, основание, при этом содержит, по крайней мере, один дополнительный теплопроводящий слой, на одной из поверхностей которого размещен катод (анод), по крайней мере, одной полупроводниковой структуры, анод (катод) которой размещен на основании, при этом анод (катод) полупроводниковой структуры размещен на катоде (аноде) другой полупроводниковой структуры, анод (катод) которой размещен на основании, при этом между анодом (катодом) и катодом (анодом) размещен дополнительный металлический слой с отверстием (прорезью), в котором размещена область управления тиристора (симистора) или тиристора с фотоприемным окном, при этом на одной из поверхностей дополнительного металлического слоя размещен дополнительный теплопроводящий изолирующий слой, при этом прибор содержит блок управления и защиты. Полупроводниковый прибор содержит: корпус, основание 1, область металлической поверхности 2, полупроводниковые структуры 3, анод 4, катод 5, дополнительный теплопроводящий слой 6, металлическую поверхность 7 дополнительного теплопроводящего слоя, область 8 металлической поверхности, дополнительный металлический слой 9 в виде диска с отверстием (прорезью), электрод управления 10, вывод управления, дополнительный металлический слой, дополнительный теплопроводящий изолирующий слой 13, блок управления и защиты 14, стенки корпуса 15.</p> |
