| 发明名称 | 磁随机存取存储器 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种磁随机存取存储器(MRAM)，MRAM单元中的位线BL和写字线WWL位于其中磁性薄膜存储单元的相同一侧，磁性薄膜存储单元通过接触孔与晶体管ATR的漏极相连接，并且MRAM单元中的地线GND与写字线WWL布置在同一个金属布线层中。这种结构的优点在于，一方面减少了金属布线层以及接触孔的数目，降低了工艺难度和制造成本，另一方面也可以提高MRAM的整体集成度。 | ||
| 申请公布号 | CN2805022Y | 申请公布日期 | 2006.08.09 |
| 申请号 | CN200320103297.1 | 申请日期 | 2003.11.14 |
| 申请人 | 中国科学院物理研究所 | 发明人 | 彭子龙;王伟宁;韩秀峰;朱涛;詹文山 |
| 分类号 | G11C11/15(2006.01);H01L29/78(2006.01) | 主分类号 | G11C11/15(2006.01) |
| 代理机构 | 北京连城创新知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘伍堂 |
| 主权项 | 1.一种磁随机存取存储器，包括：a)由晶体管ATR(4)单元构成的存储器读写控制单元阵列，该读写控制单元阵列集成在半导体衬底中；b)由磁性薄膜存储单元(2)构成的存储单元阵列；c)接触孔，所述磁性薄膜存储单元(2)经由接触孔和所述晶体管ATR(4)单元相连接；d)写字线WWL(3b)和位线BL(3a)，其特征在于：所述写字线WWL(3b)和所述位线BL(3a)布置在所述磁性薄膜存储单元(2)的同侧，并且所述写字线WWL(3b)与所述磁性薄膜存储单元(2)直接相连。 | ||
| 地址 | 100080北京市海淀区中关村南三街8号 | ||