一种制作相变存储器用的湿法刻蚀液及其湿法刻蚀工艺

摘要

本发明涉及一种制作相变随机存储器用的湿法刻蚀液及其湿法刻蚀工艺，其刻蚀液的组成为：酸溶液为1～30％，氧化剂为0.5％～10％，络合剂为0.05％～10％，表面活性剂0.1～5％(均为wt％)，余量为去离子水。湿法刻蚀工艺步骤为：(1)清洗氧化硅片，依次沉积Ti或TiN，Pt或Au，以及相变材料膜；(2)在相变薄膜上光刻成图形；(3)沉积金属Pt或Au；(4)用剥离工艺去除曝光之外的金属Pt或Au；(5)用刻蚀液刻蚀相变材料；(6)沉积SiO₂，形成的器件结构。本工艺充分利用刻蚀液的正向和侧向刻蚀，在有效控制刻蚀速率的条件下，用微米加工工艺制作了纳米相变存储器结构；制作之后离子对器件无污染，便于清洗、加工和废液处理成本低。

主权项

1.一种制作相变随机存储器的湿法刻蚀液，其特征在于所述的刻蚀液的重量百分组成为：酸溶液为1～30％，氧化剂为0.5％～10％，络合剂为0.05％～10％，表面活性剂0.1～5％，余量为去离子水；所述的酸溶液为无机酸或有机酸中的一种；所述的无机酸为硝酸、盐酸或硫酸；所述的有机酸为柠檬酸、醋酸或酒石酸；所述的氧化剂为无机物H2O2，KIO3，FeCl3和KMnO4中的任意一种，或为有机物甲醛，乙醛和过氧乙酸中的任意一种；所述的络合剂是乙二胺四乙酸或多羟多胺；所述的表面活性剂为脂肪醇聚氧乙烯醚或丙烯酰胺。