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发明名称 FLASH MEMORY CELL HAVING A HALF RECESSED FLOATING-GATE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME
摘要
申请公布号 KR20060089530(A) 申请公布日期 2006.08.09
申请号 KR20050010800 申请日期 2005.02.04
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 LEE, CHANG SUB;PAIK, KEE HYUN;LEE, KEUN HO;SIM, SANG PIL;HAN, JUNG IN;KWON, WOOK HYUN
分类号 H01L27/115 主分类号 H01L27/115
代理机构 代理人
主权项
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