栅极介电层以及应用该栅极介电层的晶体管与半导体装置

摘要

本发明提供一种栅极介电层以及应用该栅极介电层的晶体管与半导体装置，以及具有一氮化的栅极介电层的MOSFET与其制造方法。该制造方法包括提供一基板，并沉积一具有非高介电常数的介电材料于该基板上。该具有非高介电常数的介电材料包括两层。该介电材料的第一层邻近该基板，主要为不含氮的。该介电材料的第二层约含有10¹⁵atoms/cm³到10²²atoms/cm³的氮。该MOSFET更包括一具有高介电常数的介电材料，形成于该具有非高介电常数的介电材料之上。该具有高介电常数的介电材料包括HfSiON、ZrSiON或氮化的Al₂O₃。在本发明的实施例中更揭露了核心区与周边区的不对称制造技术。

主权项

1.一种栅极介电层，适用于一晶体管，其特征在于，该栅极介电层包括：一含氮且具有高介电常数的第一介电层；以及一第二介电层，位于该第一介电层的下方，该第二介电层具有用以连接该第一介电层的含氮的一第一区，以及用以连接一基板的一第二区，其中该第二区大体上是不含氮。