| 发明名称 | 晶体管型铁电体存储器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明目的在于提供一种具有新颖结构的晶体管型铁电体存储器及其制造方法。本发明涉及的晶体管型铁电体存储器，包括IV族半导体层(10)、在所述IV族半导体层(10)的上方形成的氧化物半导体层、在所述氧化物半导体层(20)的上方形成的铁电体层(30)、在所述铁电体层(30)的上方形成的栅电极(40)，和在所述IV族半导体层(10)上形成的源区(12)和漏区(14)。 | ||
| 申请公布号 | CN1812128A | 申请公布日期 | 2006.08.02 |
| 申请号 | CN200510129542.X | 申请日期 | 2005.12.06 |
| 申请人 | 精工爱普生株式会社 | 发明人 | 木岛健;滨田泰彰;樋口天光 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 李香兰 |
| 主权项 | 1.一种晶体管型铁电体存储器，其中包括：IV族半导体层；在所述IV族半导体层的上方形成的氧化物半导体层；在所述氧化物半导体层的上方形成的铁电体层；在所述铁电体层的上方形成的栅电极；和在所述IV族半导体层上形成的源区和漏区。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||