具有动态气体分布控制的等离子体加工系统

摘要

一种等离子体加工系统，包括等离子体加工室，它能提供增强蚀刻工艺控制。等离子体加工室连接到气流系统。气流系统用于控制输入等离子体加工室中不同区域的气体释放。此外，可用气流控制机构调节释放的气量，例如气体流量。以此方式，能控制输送到等离子体加工室内的气体位置和气量。能够调节释放到等离子体加工室内的气体位置和气量可以更好控制中性组分的分布，这又会增强对蚀刻工艺的控制。

主权项

1.一种等离子体加工系统，所述等离子体加工系统包括：用于加工衬底的等离子体加工室，该圆柱形的等离子体加工室包括一个位于所述等离子体加工室顶表面处的顶部区和一个位于环绕所述等离子体加工室的周边的表面上的周边区；以及一个气流系统，它耦连到所述等离子体加工室，所述气流系统控制输入到所述等离子体加工室的至少两个不同区域的包括蚀刻源气体混合物的单一输入气体流，该气体混合物是在输入气体流被分送到不同区域之前混合好的，所述气流系统包括至少第一和第二出气口，所述出气口的结构做成将所述单一输入气体流输送到至少包括等离子体加工室的一个顶部区和一个周边区的至少两个不同的区域，所述输入气体的至少一个第一部分是通过第一出气口被输送到所述等离子体加工室中，所述输入气体的其余部分则通过所述第二出气口被输送到所述等离子体加工室中。