| 发明名称 | 有机集成电路的具有无电势栅极的逻辑门 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种有机逻辑门，包括至少一个充电场效应晶体管(充电FET)和至少一个开关场效应晶体管(开关FET)，所述充电FET具有至少一个栅极、一个源极和一个漏极，充电FET的栅极是无电势的。 | ||
| 申请公布号 | CN1813351A | 申请公布日期 | 2006.08.02 |
| 申请号 | CN200480018452.7 | 申请日期 | 2004.06.30 |
| 申请人 | 波尔伊克两合公司 | 发明人 | 沃尔弗拉姆·格劳尔特;沃尔特·菲克斯;安德烈亚斯·厄尔曼 |
| 分类号 | H01L27/00(2006.01);H03K19/08(2006.01);H03K19/094(2006.01);H03K19/02(2006.01) | 主分类号 | H01L27/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 史新宏;邵亚丽 |
| 主权项 | 1.一种有机逻辑门，包括至少一个充电场效应晶体管(充电FET)和至少一个开关场效应晶体管(开关FET)，所述充电FET具有至少一个栅极、一个源极和一个漏极，其特征在于充电FET的栅极是无电势的。 | ||
| 地址 | 德国埃朗根 | ||