| 发明名称 | 压铸的功率器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件，包括在工作中产生热的半导体芯片，用于冷却该芯片的一对散热器和其中埋置该芯片和该散热器的铸模树脂。芯片的厚度t1和用焊料连接到芯片的散热器之一的厚度t2满足式t2/t1≥5。此外，散热器的热膨胀系数α1和铸模树脂的热膨胀系数α2满足式0.5≤α2/α1≤1.5。另外，面对焊料的芯片表面具有满足式Ra≤500nm的粗糙度Ra。此外，焊料是锡-基焊料以抑制芯片中压应力松弛，压应力松弛是由焊料的蠕变引起的。 | ||
| 申请公布号 | CN1267990C | 申请公布日期 | 2006.08.02 |
| 申请号 | CN02127066.X | 申请日期 | 2002.07.26 |
| 申请人 | 株式会社电装 | 发明人 | 平野尚彦;手孝纪;中濑好美;八木贤次;大仓康嗣;真光邦明;野村和仁;福田丰;铃木干昌;则武千景 |
| 分类号 | H01L23/36(2006.01);H01L21/301(2006.01);H01L21/50(2006.01) | 主分类号 | H01L23/36(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 吴立明;梁永 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件(1)，包含：一个具有第一表面和第二表面并在工作中产生热的半导体芯片(2)；一对用于释放来自半导体芯片(2)的热以使该半导体芯片(2)冷却的金属板(3，4)，其中一对金属板(3，4)分别被直接结合到半导体芯片(2)的各端表面上；铸模树脂(7)，其中半导体芯片(2)和金属板(3，4)被铸型，使得每个金属板(3，4)的一个表面被暴露以改善金属板(3，4)的散热效率，所述半导体芯片(2)的厚度t1和金属板(3，4)至少之一的厚度t2满足式t2/t1≥5；以及一对接合层(6)，加到半导体芯片(2)的第一表面的整个面积上，以将半导体芯片(2)连接到所述一对金属板(3，4)上。 | ||
| 地址 | 日本爱知县 | ||