发明名称 |
氢氧化钾溶液腐蚀(100)硅上<110>晶向凸角的补偿方法 |
摘要 |
本发明提供了一种氢氧化钾溶液腐蚀(100)硅上<110>晶向凸角的补偿方法,属于微电子机械系统(MEMS)加工工艺技术领域。该方法提供一掩膜补偿图形,该图形由三个正方形组成,与需补偿凸角相对的掩膜图形直角相应,掩膜图形直角的两个边分别延伸,形成正方形(1)的边长a,正方形(1)和掩膜图形直角之间的夹角为另一个正方形(2)的内角,正方形(2)的边长为正方形(1)的边长的1/2,正方形(1)和掩膜图形直角之间的另一夹角为正方形(3)的内角,正方形(3)的边长也为正方形(1)的边长的1/2。由于掩膜补偿图形简单,没有斜线,且图形尺寸计算简便准确,可降低光刻版的制作难度,得到非常完整的凸角。 |
申请公布号 |
CN1267582C |
申请公布日期 |
2006.08.02 |
申请号 |
CN200410009379.9 |
申请日期 |
2004.07.28 |
申请人 |
北京大学 |
发明人 |
范炜;张大成;李婷;于晓梅 |
分类号 |
C23F1/02(2006.01);C23F1/32(2006.01);B81C1/00(2006.01) |
主分类号 |
C23F1/02(2006.01) |
代理机构 |
北京君尚知识产权代理事务所 |
代理人 |
贾晓玲 |
主权项 |
1、一种氢氧化钾溶液腐蚀(100)硅上<110>晶向凸角的补偿方法,其特征在于:提供一掩膜补偿图形,该图形由三个正方形组成,与需补偿凸角相对的掩膜图形直角相应,掩膜图形直角的两个边分别延伸,形成正方形(1)的边长a,正方形(1)和掩膜图形直角之间的夹角为另一个正方形(2)的内角,正方形(2)的边长为正方形(1)的边长的1/2,正方形(1)和掩膜图形直角之间的另一夹角为正方形(3)的内角,正方形(3)的边长也为正方形(1)的边长的1/2,正方形(1)的边长a由以下算式确定:<math> <mrow> <mi>a</mi> <mo>=</mo> <mfrac> <mi>H</mi> <mrow> <mrow> <mo>(</mo> <mfrac> <mn>1</mn> <mn>2</mn> </mfrac> <mi>sin</mi> <mi>α</mi> <mo>+</mo> <mfrac> <mn>1</mn> <mn>4</mn> </mfrac> <mi>cos</mi> <mi>α</mi> <mo>)</mo> </mrow> <mo>/</mo> <msub> <mi>U</mi> <mi>c</mi> </msub> <mo>+</mo> <mfrac> <msqrt> <mn>2</mn> </msqrt> <mn>6</mn> </mfrac> </mrow> </mfrac> </mrow> </math> 其中,H表示腐蚀的深度,Uc是削角线行进速率与纵向腐蚀速率的比,α是削角线与<110>方向的夹角,为26.57°。 |
地址 |
100871北京市海淀区颐和园路5号 |