| 发明名称 | 放射性物质的化学净化系统和方法 | ||
| 摘要 | 本发明披露了一种化学净化放射性材料的方法。所述方法包括：使放射性物质的表面与包含一元羧酸和二元羧酸作为溶剂的还原净化液接触的还原-溶解步骤；和使放射性物质的表面和包含氧化剂的氧化净化液接触的氧化-溶解步骤。该方法可以包括重复的步骤对，每一对步骤包括还原-溶解步骤和氧化-溶解步骤。一元羧酸包括甲酸，而二元羧酸包括草酸。氧化剂可以是臭氧、高锰酸或高锰酸盐。 | ||
| 申请公布号 | CN1267933C | 申请公布日期 | 2006.08.02 |
| 申请号 | CN200310119684.9 | 申请日期 | 2003.11.21 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 远田正见;矢板由美;佐藤光吉;酒井仁志;金崎健;稻见一郎 |
| 分类号 | G21F9/30(2006.01);C23G1/02(2006.01);C23G3/00(2006.01) | 主分类号 | G21F9/30(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 于辉 |
| 主权项 | 1.一种化学净化放射性材料的方法，该方法包括：使放射性材料的表面与包含作为溶剂的一元羧酸和二元羧酸的还原净化液接触的还原-溶解步骤；和使放射性材料的表面与包含氧化剂的氧化净化液接触的氧化-溶解步骤。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||