半导体晶片之直接电性连接覆晶封装结构

摘要

一种半导体晶片之直接电性连接覆晶封装结构，主要系包括：至少一介电层；至少一半导体晶片，且该半导体晶片主动面形成有电性连接垫，并以其主动面接置于该介电层上；以及至少一线路层，系形成于该介电层上未供接置半导体晶片之一侧，且该线路层系藉由复数形成于该介电层中之导电电极以电性连接至该半导体晶片上之电性连接垫。由于该半导体晶片之非主动面得以直接外露出，而可提升散热效率，同时进一步缩减构装结构之整体高度，以有效达到轻薄短小目的。