| 主权项 |
1.一种薄膜电晶体元件,包括: 一闸极,位于部分的一基板上方; 一闸极绝缘层,位于该闸极上方; 一氧化钒层,位于该闸极与该基板之间以及/或位 于该闸极与该闸极绝缘层之间; 一半导体层,位于该闸极绝缘层上;以及 一源极与一汲极,位于部分该半导体层上。 2.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体元件,其 中该闸极被该氧化钒层包围。 3.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体元件,其 中该基板是玻璃基板。 4.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体元件,其 中该闸极包含Cu或Al或Mo或Ag或Ag-Pd-Cu或Cr或W或Ti或 上述金属的合金。 5.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体元件,其 中该氧化钒层的厚度大抵是30~1000。 6.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体元件,其 中该闸极绝缘膜包含氧化矽或氮化矽或氮氧化矽 或氧化钽或氧化铝。 7.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体元件,其 中该闸极绝缘膜包含有含碳氧类之矽化合物或含 碳氢氧类之矽化合物或含碳类之矽化合物或含氟 类之碳化合物或以矽或碳为中心的星状结构化合 物。 8.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体元件,其 中该半导体层包含矽。 9.如申请专利范围第1项所述之薄膜电晶体元件,其 中该源极与该汲极包含Al或Mo或Cr或W或Ta或Ti或Ni或 上述金属的合金。 10.一种薄膜电晶体元件的制造方法,包括下列步骤 : 形成一闸极于部分的一基板上方; 形成一闸极绝缘层于该闸极上方; 形成一氧化钒层于该闸极与该基板之间以及/或该 闸极与该闸极绝缘层之间; 形成一半导体层于该闸极绝缘层上;以及 形成一源极与一汲极于部分该半导体层上。 11.如申请专利范围第10项所述之薄膜电晶体元件 的制造方法,其中该闸极被该氧化钒层包围。 12.如申请专利范围第10项所述之薄膜电晶体元件 的制造方法,其中该基板是玻璃基板。 13.如申请专利范围第10项所述之薄膜电晶体元件 的制造方法,其中该闸极包含Cu或Al或Mo或Ag或Ag-Pd- Cu或Cr或W或Ti或上述金属的合金。 14.如申请专利范围第10项所述之薄膜电晶体元件 的制造方法,其中该氧化钒层的厚度大抵是30~1000 。 15.如申请专利范围第10项所述之薄膜电晶体元件 的制造方法,其中闸极绝缘层包含氧化矽或氮化矽 或氮氧化矽或氧化钽或氧化铝。 16.如申请专利范围第10项所述之薄膜电晶体元件 的制造方法,其中该闸极绝缘膜包含有含碳氧类之 矽化合物或含碳氢氧类之矽化合物或含碳类之矽 化合物或含氟类之碳化合物或以矽或碳为中心的 星状结构化合物。 17.如申请专利范围第10项所述之薄膜电晶体元件 的制造方法,其中该半导体层包含矽。 18.如申请专利范围第10项所述之薄膜电晶体元件 的制造方法,其中该源极与该汲极包含Al或Mo或Cr或 W或Ta或Ti或Ni或上述金属的合金。 19.一种薄膜电晶体元件的制造方法,包括下列步骤 : 形成一第一氧化钒层于一玻璃基板上; 形成一金属闸极于部分该第一氧化钒层上; 形成一第二氧化钒层覆盖该金属闸极与该第一氧 化钒层;以及 形成包含该金属闸极的一薄膜电晶体结构于该玻 璃基板上。 20.如申请专利范围第19项所述之薄膜电晶体元件 的制造方法,其中该金属闸极包含Cu或Al或Mo或Ag或 Ag-Pd-Cu或Cr或W或Ti或上述金属的合金。 21.如申请专利范围第19项所述之薄膜电晶体元件 的制造方法,其中该第一氧化钒层及/或该第二氧 化钒层的厚度大抵是30~1000。 22.如申请专利范围第19项所述之薄膜电晶体元件 的制造方法,其中形成该薄膜电晶体结构的步骤包 括: 依序形成一闸极绝缘层、一半导体层以及一源/汲 极于该第二氧化钒层上方。 图式简单说明: 第1图是习知薄膜电晶体结构的剖面示意图; 第2A-2D图是根据本发明第一实施例之薄膜电晶体 结构的制程剖面示意图; 第3A-3D图是根据本发明第二实施例之薄膜电晶体 结构的制程剖面示意图;以及 第4A-4D图是根据本发明第三实施例之薄膜电晶体 结构的制程剖面示意图。 |
