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1.一种半导体晶圆之分割方法,属于每一个电路的 半导体晶片地分割电路形成在藉由界道所区划的 多数领域的半导体晶圆的半导体晶圆之分割方法, 其特征为至少由: 以胶带构件被覆该半导体晶圆的电路面的被覆工 序; 切割被覆该界道上部的胶带构件并除去的胶带构 件除去工序;及 在被覆该界道上部的胶带构件被除去的半导体晶 圆施以化学性蚀刻处理,俾浸蚀界道而分割成各个 半导体晶片的分割工序,所构成。 2.如申请专利范围第1项所述的半导体晶圆之分割 方法,其中,胶带构件的厚度是依据浸蚀分割工序 的半导体晶圆的深度被决定。 3.如申请专利范围第1或第2项所述的半导体晶圆之 分割方法,其中,欲分割在界道上形成有藉由化学 性蚀刻处理无法除去的累层体的半导体晶圆时,藉 由分割除去累层体。 4.如申请专利范围第1项所述的半导体晶圆之分割 方法,其中,化学性蚀刻处理是乾蚀刻处理。 图式简单说明: 第1图是表示构成本发明的被覆工序的立体图。 第2图是表示胶带构件黏贴于半导体晶圆的状态的 立体图。 第3图是表示胶带构件黏贴于半导体晶圆的状态的 前视图。 第4图是表示使用于构成本发明的胶带构件除去工 序的切割装置的一例的立体图。 第5图是表示切削沟形成于界道上部的胶带构件的 状态的前视图。 第6图是表示黏贴有该切削沟纵横地形成的胶带构 件的半导体晶圆的立体图。 第7图是表示使用于分割工序的乾蚀刻装置的一例 的立体图。 第8图是表示该乾蚀刻装置的搬出入处理室及处理 室的剖视图。 第9图是表示该乾蚀刻装置的处理室及气体供给部 的构成的说明图。 第10图是表示刚完成分割工序之后的半导体晶圆 及胶带构件的前视图。 第11图是表示剥离胶带构件的半导体晶片的前视 图。 第12图是表示经由保持胶带与框架成为一体的半 导体晶圆的俯视图。 |
