| 发明名称 |
Verfahren zum Herstellen von Halbleiterbauteilen mit einem Graben-Gate mittels Seitenwandimplantation |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE19720215(B4) |
申请公布日期 |
2006.07.27 |
| 申请号 |
DE19971020215 |
申请日期 |
1997.05.14 |
| 申请人 |
FAIRCHILD KOREA SEMICONDUCTOR LTD., PUCHON |
发明人 |
KIM, HYUN-CHUL |
| 分类号 |
H01L21/336;H01L21/265;H01L29/08;H01L29/739;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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