VERBESSERTES LÜCKENFÜLLUNGSVERFAHREN FÜR HALBLEITERSTRUKTUR UNTER VERWENDUNG VON DOTIERTEM SILIKATGLAS MIT MEHRSTUFIGER ABSCHEIDUNG/AUSHEILBEHANDLUNG,申请号DE19986034933-传众专利搜索

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发明名称	VERBESSERTES LÜCKENFÜLLUNGSVERFAHREN FÜR HALBLEITERSTRUKTUR UNTER VERWENDUNG VON DOTIERTEM SILIKATGLAS MIT MEHRSTUFIGER ABSCHEIDUNG/AUSHEILBEHANDLUNG
摘要
申请公布号	DE69834933(D1)	申请公布日期	2006.07.27
申请号	DE19986034933	申请日期	1998.09.30
申请人	INFINEON TECHNOLOGIES AG	发明人	KIRCHHOFF, MARKUS;ILG, MATTHIAS
分类号	H01L21/768;H01L21/3105	主分类号	H01L21/768
代理机构		代理人
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