发明名称 Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
摘要 <p>Halbleitervorrichtung mit hoher Zuverlässigkeit und einer Konstruktion unter Berücksichtigung der Umweltauswirkungen. Bei der Herstellung eines Leistungshalbleitermoduls wird ein Isoliersubstrat, welches aus einer Keramikplatte und auf den beiden Oberflächen derselben angeordneten Leiterschichten besteht, unter Verwendung eines bleifreien Lots durch eine Lotschicht mit einem Kühlsockel verbunden und wird ein Halbleiter-Chip wie ein IGBT durch eine Lotschicht auf dem Isoliersubstrat befestigt. Ferner wird der Kühlsockel gewölbt, bevor das Isoliersubstrat und der Kühlsockel miteinander verlötet werden, so dass die Oberfläche auf der dem Isoliersubstrat entgegengesetzten Seite konvex ist und durch das Verlöten eben oder annähernd eben gemacht wird. Mithin sind, wenn der Kühlsockel an einer Kühlrippe usw. angebracht wird, deren Wärmewiderstände niedriger, wodurch Wärme des Halbleiter-Chips wirkungsvoll abgeleitet wird, um einen anormalen Temperaturanstieg zu verhindern.</p>
申请公布号 DE102006002452(A1) 申请公布日期 2006.07.27
申请号 DE20061002452 申请日期 2006.01.18
申请人 FUJI ELECTRIC DEVICE TECHNOLOGY CO., LTD. 发明人 NISHIMURA, YOSHITAKA;MOROZUMI, AKIRA;OHNISHI, KAZUNAGA;MOCHIZUKI, EIJI;TAKAHASHI, YOSHIKAZU
分类号 H01L23/36;H01L21/50;H01L23/12;H01L23/482;H01L25/07 主分类号 H01L23/36
代理机构 代理人
主权项
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