| 发明名称 | 铜合金导体及其架空导线、电缆以及铜合金导体的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了高强度、高导电率的铜合金导体和用其制成的架空导线、电缆以及铜合金导体的制造方法。本发明的铜合金导体(18)是由在含有氧0.001～0.1重量％(10～1000重量ppm)的铜母材(11)中含有0.15～0.70重量％(不包括0.15重量％)Sn(12)的铜合金所构成，构成结晶组织的晶粒的平均粒径小于等于100μm，并且在结晶组织基体中弥散分布的Sn(12)的氧化物的80％或以上是平均粒径小于等于1μm的微小氧化物。 | ||
| 申请公布号 | CN1808632A | 申请公布日期 | 2006.07.26 |
| 申请号 | CN200610002114.5 | 申请日期 | 2006.01.16 |
| 申请人 | 日立电线株式会社 | 发明人 | 黑田洋光;黑木一真;青山正义;蛭田浩义 |
| 分类号 | H01B1/02(2006.01);C22C9/02(2006.01);H01B5/02(2006.01);H01B7/00(2006.01);H01B13/00(2006.01);C22C1/00(2006.01) | 主分类号 | H01B1/02(2006.01) |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人 | 钟晶 |
| 主权项 | 1.铜合金导体，其特征在于，所述铜合金导体是由在含有氧0.001～0.1重量％(10～1000重量ppm)的铜母材中含有0.15～0.70重量％(不包括0.15重量％)Sn的铜合金构成，构成结晶组织的晶粒的平均粒径小于等于100μm，并且，在结晶组织的基体中弥散分布的Sn的氧化物的80％或以上是平均粒径小于等于1μm的微小氧化物。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||