发明名称 |
半导体显示器件及具有该半导体显示器件的电子器件 |
摘要 |
一种用于如摄像机的电子器件的半导体显示器件,包括:一阻挡膜,在一个衬底上形成;一个薄膜晶体管,在所述阻挡膜上形成,所述薄膜晶体管包括:一个半导体层,具有源区和漏区,在该两区之间夹有沟道区,在所述沟道区和所述源区和漏区至少之一之间有至少一个轻掺杂区,一个栅极,毗邻所述沟道区,栅极与沟道区之间有一个栅绝缘膜;一个层间绝缘膜,在所述薄膜晶体管上形成;一个平面化膜,在所述层间绝缘膜上形成;和一个像素电极,在所述有机树脂膜上形成并电连接到所述薄膜晶体管。 |
申请公布号 |
CN1266519C |
申请公布日期 |
2006.07.26 |
申请号 |
CN03133133.5 |
申请日期 |
1992.08.22 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
山崎舜平;间濑晃;广木正明;竹村保彦;张宏勇;鱼地秀贵;根本英树 |
分类号 |
G02F1/133(2006.01);G02F1/136(2006.01);H01L29/786(2006.01);H01L21/3205(2006.01) |
主分类号 |
G02F1/133(2006.01) |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 |
代理人 |
叶恺东 |
主权项 |
1.一种显示器件,其特征在于,它包括:阻挡层,在基片上形成;薄膜晶体管,在所述阻挡层上形成,所述薄膜晶体管包括:半导体层,具有源区和漏区、在所述源区和漏区之间的沟道区以及在所述沟道区和所述源区和漏区至少之一之间的至少一个轻掺杂漏区;所述薄膜晶体管还包括:栅极,毗邻所述沟道区,栅极与沟道区之间夹有栅绝缘膜;层间绝缘层,在所述薄膜晶体管上形成;平面化膜,在所述层间绝缘层上形成;和像素电极,在所述平面化膜上形成并电连接到所述薄膜晶体管。 |
地址 |
日本神奈川县厚木市 |