半导体装置及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。本发明的目的在于：提供一种能够防止漏极衬底接触之间导通的、可靠性较高的半导体装置及其制造方法。通过在高浓度p型衬底区域7和衬底表面区域的低浓度N型漏极区域2之间设置中浓度P型衬底区域13，来抑制从漏极区域延伸过来的耗尽层的扩大。

主权项

1、一种半导体装置，其特征在于：包括：第1导电型第1半导体区域，形成在半导体衬底中的下部且一部分延伸到上述半导体衬底的表面，第2导电型第2半导体区域，形成在上述半导体衬底中的上述第1半导体区域上，第1导电型第3半导体区域，形成在上述半导体衬底中的上述第2半导体区域上，第2导电型第4半导体区域，与上述第3半导体区域邻接形成在上述半导体衬底中的上述第2半导体区域上，沟渠，贯穿上述第2半导体区域及上述第3半导体区域，到达上述第1半导体区域，栅极绝缘膜，形成在上述沟渠的壁面上，以及栅极电极，形成在上述沟渠内的上述栅极绝缘膜上；还包括：第2导电型第5半导体区域，形成在被上述第4半导体区域和位于该第4半导体区域侧向的上述第1半导体区域夹着的部分的、上述半导体衬底中的上述第2半导体区域上；上述第1半导体区域中的延伸到上述半导体衬底表面的部分的上面、上述第3半导体区域上面、上述第4半导体区域上面及上述第5半导体区域上面，都成为上述半导体衬底的表面；上述第5半导体区域的杂质浓度，高于上述第2半导体区域的杂质浓度。