发明名称 |
半导体器件和半导体器件的制造方法 |
摘要 |
本发明的课题是提供接点区中相邻的布线间距离比以往宽的、能避免布线相互间的不希望有的短路的半导体器件及其制造方法。该半导体器件100具备:在半导体衬底110的内部或半导体衬底110的表面上被设置的导电体130;在半导体衬底110的表面上或导电体130的表面上被设置的绝缘层150;贯通绝缘层150并到达导电体130的接触孔160;被充填在接触孔160的内部并导电性地连接到导电体130上的导电体170;以及以通过在绝缘层150的表面区域中设置有接触孔160的接点区C的方式延伸且在接点区C内至少一方的侧边与导电体170相接的布线200。 |
申请公布号 |
CN1266767C |
申请公布日期 |
2006.07.26 |
申请号 |
CN03146675.3 |
申请日期 |
2003.07.10 |
申请人 |
株式会社东芝 |
发明人 |
岡嶋睦 |
分类号 |
H01L23/52(2006.01);H01L27/10(2006.01);H01L27/108(2006.01);H01L21/768(2006.01);G11C11/34(2006.01) |
主分类号 |
H01L23/52(2006.01) |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
王永刚 |
主权项 |
1.一种半导体器件,其特征在于,具备:第1导电体,被设置在半导体衬底的表面区域;绝缘层,被设置在上述半导体衬底的表面上;接触孔,贯通上述绝缘层并到达上述第1导电体;第2导电体,被充填在上述接触孔的内部,与上述第1导电体导电性地连接;以及布线,形成在上述绝缘层的表面区域上,以穿过设置有上述接触孔的接点区的方式延伸,而且在上述接点区内其两个侧边与上述第2导电体相接。 |
地址 |
日本东京都 |