| 发明名称 | 产生掺杂剂气体物质的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种产生掺杂剂气体物质的方法以及实施该方法的离子源，该掺杂剂气体物质含有注入目标的所需掺杂剂元素成分。具体而言，虽然并不排他，但本发明涉及使用离子注入机，产生注入半导体晶片的掺杂剂离子。本发明提供产生掺杂剂气体物质的方法，该掺杂剂气体物质含有注入目标的所需掺杂剂元素成分，该方法包括：将掺杂剂元素成分源堆或块暴露于气态溴，使得溴与所述元素成分反应，形成反应产物，并离子化该反应产物，以产生掺杂剂气体物质的离子。 | ||
| 申请公布号 | CN1807705A | 申请公布日期 | 2006.07.26 |
| 申请号 | CN200510132021.X | 申请日期 | 2005.12.16 |
| 申请人 | 应用材料有限公司 | 发明人 | G·吕丁;S·萨托 |
| 分类号 | C30B31/06(2006.01);C30B31/16(2006.01);C30B25/14(2006.01);C23C16/448(2006.01);H01L21/205(2006.01);H01L21/383(2006.01) | 主分类号 | C30B31/06(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 赵蓉民 |
| 主权项 | 1.一种产生掺杂剂气体物质的方法，所述掺杂剂气体物质含有注入目标的所需掺杂剂元素成分，所述方法包括：将所述元素成分源堆暴露于气态溴，使得溴与所述元素成分反应，形成反应产物，以及离子化所述反应产物，以产生掺杂剂气体物质的离子。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||