发明名称 |
半导体器件的制造方法 |
摘要 |
为了获得在软焊连接层中无空隙的半导体器件,在短时间内实施软焊过程而焊接一层叠物,提供一种制造半导体器件的方法。其中,该层叠物包括一金属底板,一软焊料片,一绝缘体基底,一软焊料片,和一硅芯片。将该层叠物放置在一减压炉内,在炉内抽真空之后,炉内达到正压下的氢气气氛,以还原层叠物各个部件的表面,在加热和熔化软焊料之后,炉内达到真空气氛,以除去软焊料中的空隙,且炉内达到正压下的氢气气氛,以阻止隧道形孔通过空隙的流动形成在软焊料中,由此,获得一均匀的软焊角焊缝形。此后,快速冷却层叠物使软焊料结构变得更细密,由此,提高用作焊接绝缘体基底和金属底板的软焊料的蠕变速率,以快速将金属底板的翘曲恢复到原始的状态。 |
申请公布号 |
CN1266753C |
申请公布日期 |
2006.07.26 |
申请号 |
CN03107634.3 |
申请日期 |
2003.03.20 |
申请人 |
富士电机株式会社 |
发明人 |
两角朗;宫坂忠志;山田克己;望月英司 |
分类号 |
H01L21/50(2006.01);H01L21/60(2006.01);H05K3/34(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/50(2006.01) |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 |
代理人 |
吴明华 |
主权项 |
1.一种半导体器件的制造方法,其特征在于,它包括:将一层叠物输送入一减压炉的准备步骤,层叠物包括至少两个被焊接的部件,且其间放置一软焊料片;在上述准备步骤之后的第一减压步骤,该步骤对上述减压炉内抽真空;在上述第一减压步骤之后的第一还原步骤,该步骤在上述减压炉内正压下的氢气气氛中对包含在上述层叠物内的各部件的至少一个待焊接的表面进行还原;在上述第一还原步骤过程中的加热步骤,该步骤将上述减压炉内加热到焊接温度,以熔化上述软焊料片,同时,使上述减压炉内的气氛保持在正压下的氢气气氛中,并填充软焊料片熔化时液化的软焊料中产生的空隙,用氢气活化这些空隙;在上述加热步骤之后的空隙除去步骤,该步骤在上述的减压炉内再次的炉内真空气氛中除去液化的软焊料中的空隙,同时将温度保持在焊接温度;在上述空隙除去步骤之后的第二还原步骤,该步骤再次使上述减压炉内达到正压下的氢气气氛,同时将其上的温度保持在焊接温度,以在上述空隙在液化的软焊料中流动过程中阻止隧道形孔形成在上述液化的软焊料中,与此同时,均匀形成软焊料角焊缝;以及在上述第二还原步骤之后的冷却步骤,该步骤快速冷却上述层叠物,同时使上述减压炉内的气氛保持在正压下的氢气气氛中。 |
地址 |
日本神奈川县川崎市 |