| 主权项 |
1.一种测试键结构,包括: 一基底; 一封闭回路,位于该基底上,其中该封闭回路具有 两条导线以及两个连结部,各该连结部连结于该些 导线的一端并环绕一接触区域; 多数个间隙壁,设置于该封闭回路边缘并覆盖该些 导线之间的该基底; 多数个第一掺杂区,位于该封闭回路以外与该些间 隙壁以外的该基底中; 多数个第二掺杂区,位于该些间隙壁底下的该基底 中;以及 多数个接触窗,与各该接触区域内的该些第一掺杂 区电性相连。 2.如申请专利范围第1项所述之测试键结构,其中该 些第一掺杂区的掺杂浓度大于该些第二掺杂区的 掺杂浓度。 3.如申请专利范围第1项所述之测试键结构,其中该 些第一掺杂区包括重掺杂区(heavily doped region),而 该些第二掺杂区包括浅掺杂汲极(lightly doped drain, LDD)区。 4.如申请专利范围第1项所述之测试键结构,其中各 该第二掺杂区包括一浅掺杂汲极区以及一口袋植 入区,该口袋植入区位于该浅掺杂汲极区与该基底 之间。 5.如申请专利范围第1项所述之测试键结构,更包括 一矽化金属层,位于该些第一掺杂区的顶面以及该 封闭回路的顶面。 6.如申请专利范围第1项所述之测试键结构,更包括 一保护层,位于该封开回路与该些间隙壁之间。 7.如申请专利范围第1项所述之测试键结构,其中该 封闭回路包括多晶矽层。 8.如申请专利范围第1项所述之测试键结构,其中该 封闭回路的形状包括狗骨头状(dog-bone shape)。 9.一种测试键结构,包括: 一基底; 两条导线,并排于该基底上,其中各该导线具有一 中间部以及两个端部,且各该导线之该中间部的间 距小于各该导线之该些端部的间距; 多数个间隙壁,设置于该些导线边缘并覆盖该中间 部间的该基底; 多数个第一掺杂区,位于该些导线以外与该些间隙 壁以外的该基底中; 多数个第二掺杂区,位于该些间隙壁底下的该基底 中;以及 多数个接触窗,与该些导线的该些端部间之该些第 一掺杂区电性相连。 10.如申请专利范围第9项所述之测试键结构,其中 该些第一掺杂区的掺杂浓度大于该些第二掺杂区 的掺杂浓度。 11.如申请专利范围第9项所述之测试键结构,其中 该些第一掺杂区包括重掺杂区,而该些第二掺杂区 包括浅掺杂汲极区。 12.如申请专利范围第9项所述之测试键结构,其中 各该第二掺杂区包括一浅掺杂汲极区以及一口袋 植入区,该口袋植入区位于该浅掺杂汲极区与该基 底之间。 13.如申请专利范围第9项所述之测试键结构,更包 括一矽化金属层,位于该些第一掺杂区的顶面以及 该些导线的顶面。 14.如申请专利范围第9项所述之测试键结构,更包 括一保护层,位于该该些导线与该些间隙壁之间。 15.如申请专利范围第9项所述之测试键结构,其中 该些导线包括多晶矽层。 图式简单说明: 图1是习知一种测试键结构的俯视图。 图2是图1之II-II线段之剖面示意图。 图3是依照本发明之第一实施例之测试键结构的俯 视图。 图4是图3之IV-IV线段之剖面示意图。 图5是依照本发明之第二实施例之测试键结构的俯 视图。 |
