| 主权项 |
1.一种过电流保护装置,用以限制流经一受控装置 之一输出电流,该装置包括: 一回授控制电路,系根据该受控装置之一回授讯号 控制该受控装置之输出电流,使该回授讯号达到一 预设値; 一限流电路,与该受控装置连接,用以侦测该输出 电流,并于该输出电流不小于一限流预设値时,将 该输出电流限制在一定値;及 一隔离电路,连接在该回授控制电路、该限流电路 及该受控装置之间,当该输出电流小于该限流预设 値时,该限流电路驱使该隔离电路导接该回授控制 电路与该受控装置,当该输出电流不小于该限流预 设値时,该限流电路对该受控装置进行限流动作, 并驱使该隔离电路将该回授控制电路与该限流电 路及该回授装置相隔离。 2.依据申请专利范围第1项所述之过电流保护装置, 其中该限流电路包括一侦测单元及一比较单元,该 侦测单元与该受控装置连接,用以侦测该输出电流 并对应产生一侦测电压,该比较单元与该侦测单元 及该隔离电路连接,用以比较该侦测电压和一限流 预设电压,以于该侦测电压小于或不小于该限流预 设电压时,使该隔离电路不作用或作用。 3.依据申请专利范围第2项所述之过电流保护装置, 其中该受控装置包括一负载及一提供该输出电流 给该负载之输出电晶体。 4.依据申请专利范围第3项所述之过电流保护装置, 其中该隔离电路包括四个以桥式排列连接之二极 体,其中上桥由两个以p极反向串接之二极体组成, 下桥由另两个以n极反向串接之二极体组成,且上 、下桥之一接点与回授控制电路连接,其另一接点 与该输出电晶体之基极连接,又上桥之两二极体之 接点更连接一偏压电流源。 5.依据申请专利范围第4项所述之过电流保护装置, 其中该比较单元包括一第一电晶体及一第二电晶 体,该第一电晶体之集极与下桥之两二极体之接点 连接,其基极连接该限流预设电压,其射极连接一 电流源;该第二电晶体之集极与上桥之两二极体之 接点连接,其基极与该侦测单元连接,其射极与第 一电晶体之射极连接;当该侦测电压小于该限流预 设电压时,该第一电晶体导通,该第二电晶体不导 通,使得该等二极体导通而导接该回授控制电路及 该受控装置,而当该侦测电压不小于该限流预设电 压时,该第一及第二电晶体皆导通,使该第二电晶 体对该受控装置进行限流动作,并使得与该回授控 制电路连接之一上桥二极体及与该受控装置连接 之一下桥二极体不导通,而将该回授控制电路与该 第二电晶体及该受控装置隔离。 6.依据申请专利范围第5项所述之过电流保护装置, 其中该电流源之电流系该偏压电流源之电流的两 倍。 图式简单说明: 图1是习知一种过电流保护装置之电路图; 图2是习知另一种过电流保护装置之电路图; 图3是本发明之过电流保护装置的一较佳实施例之 电路图; 图4显示本实施例在输出电流小于限流预设値时之 电路状态图; 图5显示本实施例在输出电流大于或等于限流预设 値时之电路状态图;及 图6是本实施例之另一实施态样。 |
