发明名称 Hochfrequenzfeld-erwärmte Dioden zum Bereitstellen eines thermisch gestützten Umschaltens zu Magnetspeicherelementen
摘要 Ein exemplarisches Array thermisch gestützter Magnetspeicherstrukturen umfasst eine Mehrzahl von Magnetspeicherelementen, wobei jedes Magnetspeicherelement nahe an einer Diode ist. Eine Diode nahe an einem ausgewählten Magnetspeicherelement kann durch ein Absorbieren von Wärme von einem elektromagnetischen Hochfrequenzfeld erwärmt werden. Die erwärmte Diode kann verwendet werden, um die Temperatur des ausgewählten Magnetspeicherelements zu erhöhen, um ein Umschalten des Magnetzustands des Magnetspeicherelements auf das Anlegen eines Schreibstroms hin thermisch zu unterstützen.
申请公布号 DE102005059556(A1) 申请公布日期 2006.07.20
申请号 DE20051059556 申请日期 2005.12.13
申请人 HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT CO., L.P. 发明人 NICKEL, JANICE H.
分类号 G11C11/02 主分类号 G11C11/02
代理机构 代理人
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