发明名称 |
Technik zur Erhöhung des Füllvermögens in einem elektrochemischen Abscheideprozess durch Verrundung der Kanten und Gräben |
摘要 |
Während der Herstellung einer Metallleitung in einem dielektrischen Material mit kleinem epsilon wird ein oberer Bereich eines Grabens, der in einer Deckschicht und dem dielektrischen Material mit kleinem epsilon ausgebildet ist, so behandelt, um eine größere Aufweitung oder Kantenabrundung vorzusehen, um damit deutlich das Füllvermögen der nachfolgenden Metallabscheideprozesse zu verbessern. In einer speziellen Ausführungsform wird ein zusätzlicher Ätzprozess nach dem Ätzen durch die Deckschicht und die dielektrische Schicht mit kleinem epsilon und nach der Lackentfernung ausgeführt.
|
申请公布号 |
DE102004042169(A1) |
申请公布日期 |
2006.07.20 |
申请号 |
DE200410042169 |
申请日期 |
2004.08.31 |
申请人 |
ADVANCED MICRO DEVICES, INC. |
发明人 |
FROHBERG, KAI;SCHALLER, MATTHIAS;AMINPUR, MASSUD |
分类号 |
H01L21/768 |
主分类号 |
H01L21/768 |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
|
地址 |
|