| 摘要 |
Es werden ein CMOS-Bildsensor und ein Verfahren zum Herstellen des Sensors offenbart, wobei die Übertragungskenndaten verbessert werden. Das Verfahren umfasst das Bilden eines Photodiodenbereichs und eines leitfähigen Ionenbereichs zweiter Art auf einer Fläche eines leitfähigen Substrats erster Art durch Implantation eines leitfähigen Verunreinigungsions zweiter Art in eine Gesamtfläche des Substrats, wo ein Transistor zu bilden ist, das Bilden eines leitfähigen schwach-dotierten Ionenbereichs zweiter Art im Substrat entsprechend dem Photodiodenbereich durch Implantieren eines leitfähigen Verunreinigungsions zweiter Art lediglich in einem Bereich, wo der Photodiodenbereich geöffnet ist, und das Diffundieren des leitfähigen schwach-dotierten Ionenbereichs zweiter Art in den leitfähigen Ionenbereich zweiter Art durch einen Thermoprozess. |
