| 发明名称 | 直流放大器及其半导体集成电路 | ||
| 摘要 | 高度为H<SUB>B</SUB>宽度为W<SUB>B</SUB>的长方体突出部分(21)形成在硅衬底上，并且栅氧化膜形成在突出部分(21)的部分上表面和侧壁面上。源极和漏极形成在栅电极(26)的两个对侧上，从而形成MOS晶体管。此MOS晶体管用来配置直流放大器。直流放大器具有包括MOS晶体管(61，62)的差动放大器电路。这样，直流放大器能够呈现更大的增益。 | ||
| 申请公布号 | CN1806332A | 申请公布日期 | 2006.07.19 |
| 申请号 | CN200480016270.6 | 申请日期 | 2004.06.11 |
| 申请人 | 株式会社丰田自动织机;新泻精密株式会社;大见忠弘 | 发明人 | 大见忠弘;西牟田武史;宫城弘;须川成利;寺本章伸 |
| 分类号 | H01L27/092(2006.01);H03F3/34(2006.01);H03F3/45(2006.01);H01L29/78(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L27/092(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 杨凯;梁永 |
| 主权项 | 1.一种直流放大器，形成在半导体集成电路的衬底上，包括：包括MIS场效应晶体管的差动放大电路，其中由硅衬底形成突出部分，该硅衬底具有作为主表面的第一晶面，以及作为侧表面的第二晶面，在惰性气体的等离子体气氛中去除所述硅表面上的封端氢，然后在等离子体气氛中在约550℃或者更低的温度下在所述突出部分的上表面和侧表面的至少一部分上形成栅绝缘膜，栅极形成在所述栅绝缘膜上，并且漏极和源极形成在包围所述突出部分的栅绝缘膜的两侧上。 | ||
| 地址 | 日本爱知县刈谷市 | ||