| 发明名称 | 相变型多位准记忆胞及其操作方法 | ||
| 摘要 | 本发明是关于一种相变型多位准记忆胞及其操作方法，该相变型多位准记忆胞，包括半导体基底、闸极结构、二源/汲极区，以及分别与此二源/汲极区电性连接的二相变储存单元。其中，任一相变储存单元可程式化为电阻值相异的多个相态之一，且此二相变储存单元的相态的多种组合可导致不同的记忆胞电流，而可对应2<SUP>n</SUP>个n位资料值(n≥2)。在程式化此记忆胞时，是分别使二相变储存单元的相态成为上述多个相态之一，以使该二相变储存单元的相态组合对应一预定资料值；而在读取时，则测量流经记忆胞的电流大小，以推知其所储存的资料值。 | ||
| 申请公布号 | CN1805167A | 申请公布日期 | 2006.07.19 |
| 申请号 | CN200510000395.6 | 申请日期 | 2005.01.10 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 黄俊仁;赖二琨 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01);H01L27/24(2006.01);G11C11/56(2006.01) | 主分类号 | H01L45/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 寿宁;张华辉 |
| 主权项 | 1、一种相变型多位准记忆胞，其特征在于其包括：一半导体基底；一闸极结构，位于该基底上；二源/汲极区，在该闸极结构两侧的该基底中；以及二相变储存单元，分别与该二源/汲极区电性连接，其中，任一相变储存单元可程式化为电阻相异的多个相态之一，且该二相变储存单元的相态的组合可导致不同的记忆胞电流，而可对应2n个n位资料值(n≥2)。 | ||
| 地址 | 中国台湾 | ||