发明名称 带电粒子束绘图装置及其缩小率和台架相位测定方法、控制方法
摘要 本发明提供一种带电粒子束绘图装置及其缩小率和台架相位测定方法、控制方法使设于固定的掩模(6)的开口部分(22)朝位置(A)移动,测定在位置(A)的开口部分成形的电子束的试样面上位置(a)。然后,使开口部分(22)朝位置(B)移动,测定由位置B的开口部分成形的电子束的试样面上位置(b)。根据位置(a-b)间的距离与位置(A-B)间的距离的比求出物镜系的缩小率。这样,可精度良好地求出电子束绘图装置的物镜条的缩小率。
申请公布号 CN1265437C 申请公布日期 2006.07.19
申请号 CN200310124437.8 申请日期 2003.12.26
申请人 株式会社东芝 发明人 西村慎祐
分类号 H01L21/30(2006.01);H01L21/66(2006.01);G03F7/00(2006.01) 主分类号 H01L21/30(2006.01)
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 李德山
主权项 1.一种带电粒子束绘图装置的缩小率测定方法,其特征在于:包括:在载置于带电粒子束绘图装置的掩模台架上的掩模的开口部分位于第1开口位置的状态下,在掩模台架坐标系下测定上述掩模的第1开口位置的步骤;在试样台架坐标系下测定由位于上述第1开口位置的开口部分成形的、通过物镜系照射到试样面上的带电粒子束的第1照射位置的步骤;使上述开口部分的位置移动到与上述第1开口位置不同的第2开口位置,在掩模台架坐标系下测定上述掩模的第2开口位置的步骤;在上述试样台架坐标系下测定由位于上述第2开口位置的上述开口部分成形的、通过上述物镜系照射到上述试样面上的带电粒子束的第2照射位置的步骤;和根据上述第1和第2掩模的位置及第1和第2照射位置来计算上述物镜系的缩小率的步骤。
地址 日本东京都