发明名称 晶片高温测试炉
摘要 晶片高温测试炉,包括一炉体,其有一腔体结构;还包括支撑架、滑轨、晶舟盒;其中,支撑架设置于所述的炉体腔体;滑轨设置于支撑架,滑轨的形状为梯形结构;晶舟盒设于滑轨上,其底部开设有与滑轨相对应的滑槽,便于放置及拿取晶舟盒;所述的晶舟盒的侧壁和底部开有多个通孔,有利于晶片均匀加热,同时也缩短了降温的时间;所述的晶舟盒内部底部开有多个夹持晶片的固定槽,该固定槽为V形槽;所述的晶舟盒内部底部的V形固定槽的一边垂直于晶舟盒底面,另一边为倾斜结构;V形槽的角度小于90度,使晶片自然倾斜,不会随意晃动。
申请公布号 CN1805117A 申请公布日期 2006.07.19
申请号 CN200510023215.6 申请日期 2005.01.11
申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 发明人 曾繁中;胡轶强;简维廷;马瑾怡;阮玮玮
分类号 H01L21/00(2006.01);H01L21/66(2006.01);F27B17/00(2006.01) 主分类号 H01L21/00(2006.01)
代理机构 上海新高专利商标代理有限公司 代理人 楼仙英
主权项 1.晶片高温测试炉,包括,一炉体,其有一腔体结构;其特征是,还包括,支撑架,设置于所述的炉体腔体;滑轨,设置于支撑架上;晶舟盒,设于滑轨上,其底部开设有与滑轨相对应的滑槽。
地址 201203上海市浦东新区张江高科技园区张江路18号