| 发明名称 | 高定向金刚石薄膜及其制备方法、及应用高定向金刚石薄膜的电子器件 | ||
| 摘要 | 一种具有平坦表面、几乎不含有非定向生长晶体的高定向金刚石薄膜，具有通过化学气相沉积方法并使用甲烷和氢气的气体混合物作为原料气体、由(111)晶面生长而沉积的第一金刚石层和在第一金刚石层上通过等离子化学气相沉积方法并使用甲烷、氢气及氧气为原料气体、由(100)晶面生长而沉积的第二金刚石层，其中在生长第二金刚石层时原料气体的压力为133hPa或更高，原料气体的成分为：([C]－[O])/[CH<SUB>3</SUB>+H<SUB>2</SUB>+O<SUB>2</SUB>]大于等于－0.2×10<SUP>－2</SUP>、[O]/[C]小于等于1.2、基底温度为750－1000℃。 | ||
| 申请公布号 | CN1804116A | 申请公布日期 | 2006.07.19 |
| 申请号 | CN200510131594.0 | 申请日期 | 2005.11.29 |
| 申请人 | 株式会社神户制钢所 | 发明人 | 横田嘉宏;林和志;橘武史;小桥宏司 |
| 分类号 | C23C16/27(2006.01);C30B25/00(2006.01);C30B29/04(2006.01) | 主分类号 | C23C16/27(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 韦欣华;邹雪梅 |
| 主权项 | 1.一种高定向的金刚石薄膜，具有由(111)晶面生长而沉积的第一金刚石层和在第一金刚石层上由(100)晶面生长而沉积的第二金刚石层，从而其晶粒尺寸的大小随着到第一金刚石层的距离而增大，其中第二金刚石层表面的平均晶粒尺寸表示为Da(μm)，第一和第二金刚石层界面上的第一金刚石层的平均晶粒尺寸或当边界面不平行于第二金刚石层表面时，与第二金刚石层表面平行的、并且靠近边界面的横截面上的第一金刚石层的平均晶粒尺寸表示为Db(μm)；第二金刚石层表面到界面的距离或到横截面的距离表示为L(μm)，其中由公式M＝{(Da-Db)/L}×100计算的晶粒尺寸增加率M(％)为50％或更高。 | ||
| 地址 | 日本兵库县 | ||